什么是失效分析？（FA）分析项目有哪些？

失效分析（FA）是对已失效器件进行的一种事后检查。根据需要，采用电测试以及各种先进的物理、金相和化学分析技术，并结合元器件失效前后的具体情况及有关技术文件进行分析，以验证所报告的失效，确定元器件的失效模式、失效机理和造成失效的原因。

通过失效分析可以发现失效器件的固有质量问题，也有可能发现失效器件因不按规定条件使用而失效地使用质量问题，通过向有关方面反馈，促使责任方采取纠正措施，以便消除所报告的失效模式或机理产生的原因，防止其再次出现，对提高元器件的固有质量或使用质量都起到十分重要的作用。

失效分析产品范围

PCBA、高光板、雨刮器、汽车线束、汽车面板、汽车导航、通信模块、LED、光模板

分析项目

1、外部检查

2、电参数测试

3、非功能测试

4、X射线照相X-RAY、X-CT 射线分析（3D）

5、PIND

6、密封性检查

7、声学扫描显微镜分析(SAM）C-SAM、TEM（透射电子显微镜）

8、内部检查

9、剖面金相分析

10、键合强度测试

11、剪切强度测试

12、扫描电子显微镜分析(SEM）、SEM&EDS

13、粗检漏、细检漏

14、内部气氛分析仪

15、切片

16、染色试验

17、FIB（聚焦离子束）

18、ESD测试

19、Latch-up 测试（电源端）

20、芯片剪切力、键合拉力、推进球

21、EMMI（光发射显微镜）

22、红外热成像系统

23、TOF-SIMS（二次离子质谱分析）

形貌分析技术：体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束

成分检测技术：X射线能谱EDX、俄歇能谱AES、二次离子质谱SIMS、光谱、色谱、质谱

电分析技术：I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性

开封制样技术：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片

缺陷定位技术：液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH