领域分类:失效分析-设计审查-其他
检测项目:失效分析,DPA分析,器件质量评估,超声扫描,目检检测,红墨水试验,开封检测,CT扫描,离子清洁度,元器件检测,无损检测,键合强度,焊点测试,可靠性测试,扫描式电子显微镜(SEM),形貌观察,X-Ray检测
胜科纳米(苏州)股份有限公司2012年成立于苏州工业园区,主要从事半导体第三方检测分析服务,致力于打造专业高效的一站式检测分析平台,为半导体产业链客户提供失效分析、材料分析、可靠性分析等检测分析服务。公司通过专业精准的检测分析服务,判断客户产品设计或工艺中的缺陷,助力客户提升产品良率与性能,成为半导体领域研发制造和品质监控的关键技术支撑平台,承担辅助客户研发的重要角色。凭借多元化的检测分析项目与专业精准的诊断能力,公司被形象地喻为“芯片全科医院”。
开封试验、外部目检、电性能试验、X 射线检测、超声检测、内部光学观测、探针测试、切片试验、剖面分析、氧化层缺陷分析、扫描电子显微镜分析、微束分析、玻璃钝化层完整性分析、俄歇电子能谱分析、二氧化硅膜厚测量、回流焊模拟试验、染色试验、预处理试验、高温储存寿命试验、低温储存寿命试验、高温工作寿命试验、偏压高加速应力试验、无偏压高加速 应力试验、高压蒸煮试验、温度循环试验、温度冲击试验、温湿度偏压寿命试验、功率和温度循环、静电放电测试、带电器件模型 静电放电测试、引线剪切试验、引线拉力试验、物理尺寸测量、锡球剪切试验
产品名称 | 检测标准 | 检测项目 |
电子元器件 | 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 方法 1101 中 2.7 | 开封试验 |
电子元器件 | 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 、微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005、半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 | 外部目检 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 | 电性能试验 |
电子元器件 | 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 、微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法、半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 | X 射线检测 |
电子元器件 | 非气密封装固态表面贴装器件超声扫描显微镜 IPC/JEDEC J-STD-035 1999、军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006、微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 | 超声检测 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 | 内部光学观测 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 | 探针测试 |
电子元器件 | 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006、半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 | 切片试验 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005、多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制备及检验方法 GJB 4152A-2014 | 剖面分析 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 | 氧化层缺陷分析 |
电子元器件 | 微米级长度的扫描电镜测量方法通则 GB/T 16594-2008、纳米级长度的扫描电镜测量方法通则 GB/T 20307-2006、金属覆盖层厚度测量扫描电镜法 GB/T 31563-2015、军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 、微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 、半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 | 扫描电子显微镜分析 |
电子元器件 | 微束分析 能谱法定量分析 GB/T 17359-2012、微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 、军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 、半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 | 微束分析 |
电子元器件 | 军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 、微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 | 玻璃钝化层完 整性分析 |
电子元器件 | 俄歇电子能谱分析方法通则 GB/T 26533-2011 | 俄歇电子能谱 分析 |
电子元器件 | 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法 GB/T 31225-2014 | 二氧化硅膜厚 测量 |
电子元器件 | 非气密封装固态表面贴装器件湿度/回流焊敏感度分类 IPC/JEDEC J-STD-020E:2014 | 回流焊模拟试验 |
电子元器件 | 试验方法手册 针孔评估、染料渗透的方法 IPC-TM-650、BGA 设计与组装工艺的实施 IPC-7095D:2019 7.3.8.2 | 染色试验 |
电子元器件 | 非密封表面贴装器件可靠性试验前的预处理 JESD22 A113I:2020 | 预处理试验 |
电子元器件 | 高温储存寿命试验 JESD22-A103E.01:2021 | 高温储存寿命试验 |
电子元器件 | 低温储存寿命试验 JESD22-A119A:2015 | 低温储存寿命试验 |
电子元器件 | 温度、偏压和工作寿命试验 JESD22-A108F:2017 | 高温工作寿命试验 |
电子元器件 | 高加速温度和湿度应力试验 JESD22-A110E.01:2021 | 偏压高加速应力试验 |
电子元器件 | 无偏压高加速温度和湿度应力试验 JESD22 A118B.01:2021 | 无偏压高加速 应力试验 |
电子元器件 | 无偏压高压蒸煮试验 JESD22-A102E:2015 | 高压蒸煮试验 |
电子元器件 | 温度循环试验 JESD22-A104F:2020 | 温度循环试验 |
电子元器件 | 温度冲击试验 JESD22-A106B.01:2016 | 温度冲击试验 |
电子元器件 | 稳态温湿度偏压寿命测试 JESD22-A101D.01:2021 | 温湿度偏压寿命试验 |
电子元器件 | 功率和温度循环 JESD22-A105D:2020 | 功率和温度循环 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法 MIL-STD-883-3-2019 、人体模型静电放电测试-元件级 JEDEC JS-001-2017、人体模型静电放电测试 AEC-Q100-002 REV-E:2013、机器模型静电放电敏感测试 JESD22-A115C:2010、机器模型静电放电测试 AEC-Q100-003 REV-E:2003、集成电路闩锁效应测试 JEDEC JESD78E-2016、集成电路闩锁效应测试 AEC-Q100-004 REV-D:2012 | 静电放电测试 |
电子元器件 | 带电器件模型静电放电测试-器件级 JEDEC JS-002-2018、带电器件模式的静电放电测试 AEC-Q100-011 REV D:2019 | 带电器件模型静电放电测试 |
电子元器件 | 引线剪切试验 AEC-Q100-001C:1998、微电子器件试验方法 GJB 548B-2005 方法2019 | 引线剪切试验 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法 MIL-STD-883-2:2019 方法 2011.10、微电子器件试验方法 GJB 548B-2005 方法2011 | 引线拉力试验 |
电子元器件 | 物理尺寸测量 JESD22-B100B:2003(R2021)、表面贴装半导体器件的共面性测试 JESD22-B108B:2010 | 物理尺寸测量 |
电子元器件 | 锡球剪切试验 AEC-Q100-010A:2003 | 锡球剪切试验 |
我们的优势:
高端芯片失效分析线
High-end chip failure analysis line
专家级半导体芯片分析测试团队
Expert Semiconductor Chip Analysis and Testing Team
整体分析测试系统解决方案
Comprehensive Analytical and Testing Solution
7D*24H不间断专业高效运作
7 Days a Week, 24 Hours a Day, Continuous Professional and Efficient Operation