半导体中埋藏层化学态的高效无损表征--仪器信息网3i讲堂

半导体中埋藏层化学态的高效无损表征

埋藏层及其界面对电池、太阳能电池和晶体管等器件的性能至关重要，但传统X射线光电子能谱（XPS）探测深度有限，难以在不破坏样品的前提下分析深层化学态。硬X射线光电子能谱（HAXPES）可无损探测更深的表面以下区域，是研究复杂半导体材料的有力手段。本报告将结合半导体器件、光学薄膜界面及MOS结构能带变化等实际案例，展示HAXPES在埋藏界面与氧化过程研究中的应用。