第三代半导体材料与器件标准体系现状及趋势--仪器信息网3i讲堂

第三代半导体材料与器件标准体系现状及趋势

第三代半导体以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，是新能源、新一代通信、航空航天等产业升级转型的重要支撑，具有创新活跃、技术密集、发展前景广阔等特征。其高压、高频、高效、高温、高功率密度的特点，给新产品测试与评价带来挑战。本报告介绍了SAC/TC203/SC2、SAC/TC78、SAC/TC599、IEC、JEDEC JC70等标准化组织在SiC、GaN材料与器件的标准化进展。