HORIBA 光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用-HORIBA（中国）-仪器信息网3i讲堂

HORIBA 光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用

本报告聚焦PL（光致发光）光谱技术在先进化合物半导体量产中的应用，覆盖 InP 激光器（光芯片）、GaAs (VCSEL)、GaN 功率器件、SiC 及 Micro LED 领域。内容将围绕两大维度展开：外延膜层表征：峰值波长/强度、半高宽（FWHM）、铝组分、外延层厚度及BOW测量等；缺陷管控：SiC 缺陷识别分类与 Micro LED 缺陷检测。针对不同应用提供对应的配置方案介绍，如针对选区生长的自动化微区PL测量。