基于最新FE-SEM JSM-IT810实现的半导体前沿分析-日本电子株式会社(JEOL)-仪器信息网3i讲堂

基于最新FE-SEM JSM-IT810实现的半导体前沿分析

随着半导体工艺节点不断微缩，关键尺寸测量、缺陷分析及材料评估的精度要求日益严苛。本次网络研讨会将聚焦JEOL最新FE-SEM JSM-IT810，深入解析其如何助力半导体前沿分析。报告将重点介绍JSM-IT810在自动化与高重现性方面的突破：通过SEM自动调整包与自动测长功能，有效消除人为操作偏差，实现光刻图案线宽及焊盘的高精度测量。在缺陷与失效分析方面，将展示其与缺陷复检装置的联动、CP断面加工及平面剥离前处理技术，并结合Nanoprobing、EBAC、EBIC、CL及SEM-Raman等联用技术，呈现从缺陷定位、电学特性分析到材料应力评估的全方位表征方案。此外，JSM-IT810的Neo Action自动测试与Neo Comfort耐环境设计，将为洁净室环境下的稳定观察提供强大支撑，为半导体失效分析的高效化与高精度化提供综合性表征平台。