多模态SRS/MPPL技术在半导体晶体缺陷无损检测中的前沿应用
超快相干拉曼光谱技术凭借高灵敏度、无损及快速分子指纹识别能力，在多领域展现出广泛应用前景。面向第三代半导体材料与器件对高分辨、无损、三维检测的需求，本次报告介绍了多模态SRS与MPPL显微技术在GaN穿透位错表征中的进展。该方法融合位错三维定位、拉曼峰移与局部应力/应变分析，实现伯格斯矢量解析和螺型位错判别，为半导体材料衬底质量评价、晶体生长优化及功率器件可靠性研究提供新的检测思路。 关键词：超快相干拉曼、半导体、位错、前沿应用
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2026-09-24
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