[报告]HORIBA 光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用
报告时间: 2026-08-20 06:00
第十五届光谱网络会议（iCS2026）
2026年08月18日 01:00
熊洪武
HORIBA (中国)
现任HORIBA 半导体事业部量测产品经理。2011 加入 HORIBA，曾担任光栅光谱仪/荧光光谱仪技术及应用支持，精通光栅光谱仪应用，具有光致发光光谱（PL）、拉曼光谱和荧光光谱应用经验。现主要负责HORIBA半导体量测类产品在半导体方向的应用开发与业务拓展，专注于采用自动化在线光谱技术（PL/拉曼/椭偏仪等），解决晶圆厂先进半导体材料（如化合物半导体、Si/Ge 及二维材料）的表征量测难题。
本报告聚焦PL（光致发光）光谱技术在先进化合物半导体量产中的应用，覆盖 InP 激光器（光芯片）、GaAs (VCSEL)、GaN 功率器件、SiC 及 Micro LED 领域。
内容将围绕两大维度展开：
外延膜层表征：峰值波长/强度、半高宽（FWHM）、铝组分、外延层厚度及BOW测量等；
缺陷管控：SiC 缺陷识别分类与 Micro LED 缺陷检测。
针对不同应用提供对应的配置方案介绍，如针对选区生长的自动化微区PL测量。
HORIBA（中国）
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