1、项目定义：

NanoProbing是半导体参数分析领域最新的分析方法。通过在SEM设备里使用并控制纳米尺寸探针，提取单个晶体管的电性参数。集成EBAC/EBIC/EBIRCH等多功能失效分析能力。
适用于新产品开发和失效分析，用于提高良率，质量和可靠性问题、客诉。
胜科纳米实验室的Nano Probe探针是中国国内第三方首台设备，SEM电压可低至100V，比Hitachi的500V电压减少晶体管损伤。

2、应用领域：

8根针配置（测量IV CV曲线测量）
SRAM Bit Cell（SRAM电性测量）
BEOL Metal/Poly （金属/多晶硅电阻测量）
EBAC/VC/EBIRCH（芯片线路开路/短路定位）
EBIC （晶体管pn节成像/漏电定位）
High/Low Temp （高低温环境测试）

3、应用优势：

200V电子束，不同尺寸的8探针，IV&CV曲线，最小电流10pA，配置EBAC/EBIC/EBIRCH。低电压可减少SEM电子束对晶体管的损伤，扎针金属线/Contact/Poly，满足客户实现先进工艺的单个晶体管测量、金属线开路、芯片电容漏电定位、晶体管截面扎针、电容截面电极扎针等需求。

纳米探针Nano Probe

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 5003 中3.2.11