1、芯片加工中的缺陷与成品率预测芯片制造缺陷的分类:
全局缺陷:光刻对准误差、工艺参数随机起伏、线宽变化等;在成熟、可控性良好的工艺线上,可减少到极少,甚至几乎可以消除。
局域缺陷:氧化物针孔等点缺陷,不可完全消除,损失的成品率更高。
点缺陷:冗余物、丢失物、氧化物针孔、结泄漏
来源:灰尘微粒、硅片与设备的接触、化学试剂中的杂质颗粒。2、混合集成电路的失效混合集成电路工艺:
IC工艺:氧化、扩散、镀膜、光刻等
厚膜工艺:基板加工、制版、丝网印刷、烧结、激光调阻、分离元器件组装等
薄膜工艺:基板加工、制版、薄膜制备、光刻、电镀等
失效原因:元器件失效:31%互连失效:23%,引线键合失效、芯片粘结不良等沾污失效:21%关于混合集成电路:按制作工艺,可将集成电路分为:(1)半导体集成电路(基片:半导体) 即:单片集成电路(固体电路) 工艺:半导体工艺(扩散、氧化、外延等)(2)膜集成电路(基片:玻璃、陶瓷等绝缘体) 工艺: 薄膜集成电路——真空蒸镀、溅射、化学气相沉积技术 厚膜集成电路——浆料喷涂在基片上、经烧结而成(丝网印刷技术)3、混合集成电路(Hybrid Integrated Circuit)特点:充分利用半导体集成电路和膜集成电路各自的优点,达到优势互补的目的;工艺:用膜工艺制作无源元件,用半导体IC或晶体管制作有源器件。三种集成电路的比较:
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关键词: 失效分析
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