领域分类:失效分析-设计审查-其他
检测项目:可靠性测试,无损检测,失效分析
1、项目定义:
NanoProbing是半导体参数分析领域最新的分析方法。通过在SEM设备里使用并控制纳米尺寸探针,提取单个晶体管的电性参数。集成EBAC/EBIC/EBIRCH等多功能失效分析能力。
适用于新产品开发和失效分析,用于提高良率,质量和可靠性问题、客诉。
胜科纳米实验室的Nano Probe探针是中国国内第三方首台设备,SEM电压可低至100V,比Hitachi的500V电压减少晶体管损伤。
2、应用领域:
8根针配置(测量IV CV曲线测量)
SRAM Bit Cell(SRAM电性测量)
BEOL Metal/Poly (金属/多晶硅电阻测量)
EBAC/VC/EBIRCH(芯片线路开路/短路定位)
EBIC (晶体管pn节成像/漏电定位)
High/Low Temp (高低温环境测试)
3、应用优势:
200V电子束,不同尺寸的8探针,IV&CV曲线,最小电流10pA,配置EBAC/EBIC/EBIRCH。低电压可减少SEM电子束对晶体管的损伤,扎针金属线/Contact/Poly,满足客户实现先进工艺的单个晶体管测量、金属线开路、芯片电容漏电定位、晶体管截面扎针、电容截面电极扎针等需求。
纳米探针Nano Probe
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 5003 中3.2.11
产品名称 | 检测标准 | 检测项目 |
电子元器件 | 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 5003 中3.2.11 | 探针测试 |
高端芯片失效分析线
High-end chip failure analysis line
专家级半导体芯片分析测试团队
Expert Semiconductor Chip Analysis and Testing Team
整体分析测试系统解决方案
Comprehensive Analytical and Testing Solution
7D*24H不间断专业高效运作
7 Days a Week, 24 Hours a Day, Continuous Professional and Efficient Operation
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