扫描式电子显微镜(Scanning Electron microscopy, SEM)主要是利用微小聚焦的电子束(Electron Beam)进行样品表面扫描，激发样品产生各种物理信号，如二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线、俄歇电子等，SEM主要就是收集从表面发出的二次电子形成样品的表面图像。

检测方法：

制样品后，导电性差的产品需要镀金量，属于有损检测

测试范围：

针对各种材料表面微结构观察；

SEM测量样品尺寸；

EDS可针对样品表面，进行微区定性与半定量成份元素分析/ 特定区域之Point、Line Scan、Mapping分析；

EDS可在低电压下，提升Mapping的空间分辨率；

SEM自动拍照，搭配去层技术De-Process，可提供电路逆向工程参考；

利用低能电子束扫描做被动式电压对比(Passive Voltage Contrast, PVC)，对于异常漏电或接触不良的半导体组件损坏可精准定位。

特点：

仪器分辨本领较高。二次电子像分辨可达1nm(场发射)3nm(钨灯丝)。

仪器放大倍数变化范围大(从几倍到几十万倍)，且连续可调。

图像景深大，富有立体感。可直接观察起伏较大的粗糙表面(如金属和陶瓷的断口等)。

试样制备简单。只要将块状或粉末的、导电的或不导电的试样不加处理或稍加处理，就可直接放到SEM中进行观察。一般来说，比透射电镜(TEM)的制样简单，且可使图像更接近于试样的真实状态。

适用于：

微观缺陷观察，一般与其他检测项目搭配使用，如切片测试、开盖测试等。液体，有磁性样品，粉末，气体不在检测范围。

检测图片：

半导体芯片剖面分析：

EDS mapping：

检测设备图片：

HITACHI SU8220

兔拉检测拥有专业的开发团队，检测结果准确，工期短，高效完成客户的需求。

1、采用业界主流的场发射扫描式电子显微镜进口设备，分析精度可达5nm；

2、(扫描电镜，FE-SEM)：FEI Nova Nano 450、Hitachi su8010、Hitachi SU8220,且加装EDS (SDD detector)，可提供高解析之表面结构分析影像，亦可快速进行材料成份之分析。