1. 设备型号

Gatan  685 

技术指标与配置：

（1）功能：具备平面大面积离子抛光、横截面离子抛光及高精度离子束镀膜，全面解决高端场 发射电镜所有制样需求；

（2）离子枪角度：0°到 + 18°，每只离子枪可独立调节；

（3）离子枪束能量：0.1keV~8keV , 可在不同电压下自动优化离子束束流；

（4）抛光区域面积：平面抛光区域直径≥10mm，横截面≥2mm×2mm；

（5）最大样品尺寸：直径32mm×高15mm；

（6）冷台部分：带有液氮冷台，以及精确控温系统，一次加注液氮续航能力6-8小时；

（7）耙材装置：同时安装两种靶材，金靶、铂靶。

优势：

具备样品切割和抛光两项功能；

配温控液氮冷却台，去除热效应对样品的损伤，有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化；

配碳/铬镀膜，对于同一个样品，可在同一真空环境下完成抛光及镀膜，防止样品氧化，可以用于SEM/FIB导电镀膜样品制作。

2. 原理

氩离子切割技术是一种利用宽离子束（?1mm）来切割样品，以获得宽阔而精确的电子显微分析区域的样品表面制备技术。一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域，有效的遮蔽了下半部分的离子束，创造出一个侧切割平面，去除样品表面的一层薄膜。

氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术，是对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在SEM，光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

3. 性能
样品粘贴在样品载台上的一个独特的llion+样品挡板上，便于使样品准确的定位。系统筒化操作，使样品可以重复插入样品台。

4. 氩离子抛光与切割/CP截面抛光的优点

机械抛光的缺点

相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点：
（1）对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。

（2）比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）。

5. 寄样要求

1. 送样前需要对样品进行预处理：样品预磨抛，样品要磨平，样品的上下表面要平行，样品抛光面至少用4000目砂纸磨平，在显微镜下看起来光滑，不粗糙。

2. 金鉴样品的尺寸要求:

2.1块状样品：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）

2.2粉末样品：10g以上。

   注：具体的样品要求可咨询在线业务！

6. 金鉴抛光样品台简介

6.1平面抛光样品台

  

平面抛光的样品尺寸要求:

块状样品：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）

6.2 截面抛光样品台

截面抛光样品尺寸要求：

不超过挡板大小即可，但抛光区域大概只有档板中线区域的1mm

8. 案例分析

（1）金属结合面

（2）锂电池石墨电极截面观察

（3）锂电池石墨颗粒平面抛

（4）线路板截面抛光

（5）芯片N极截面抛光

（6）支架镀层二焊点截面抛光

（7）支架镀层结构截面抛

（8）页岩抛光

（9）样品抛光后显示出高度孪晶的晶粒

（10） 抛光后的锆合金的菊池花样

（11）EBSD欧拉角分布图

（12）IPFZ 面分布