领域分类：材料_半导体材料_元素半导体
检测项目：厚度，电学性能，限度检查，失效分析，限用物质含量
设备型号：Zeiss Auriga Compact
聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后，通过结合相应的气体沉积装置，纳米操纵仪，各种探测器及可控的样品台等附件成为一个集微区成像、加工、分析、操纵于一体的分析仪器。其应用范围也已经从半导体行业拓展至材料科学、生命科学和地质学等众多领域。为方便客户对材料进行深入的失效分析及研究，金鉴实验室现推出Dual Beam FIB-SEM业务，并介绍Dual Beam FIB-SEM在材料科学领域的一些典型应用，包括透射电镜( TEM)样品制备，材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等。
金鉴实验室蔡司FIB-SEM技术参数：
AURIGA Compact 主机台 | FESEM | FIB |
分辨率 |
0.9nm at 30kV 1.2nm at 15kV and optimum WD 2.5nm at 1kV and optimum WD
| 5nm(30kV,1pA) |
放大倍率 | 12x-1000kx | 600x-500kx |
束流 | 4pA-100nA | 1Pa-50nA |
加速电压 | 0.1-30kV | 1-30kV |
电子枪 | 肖特基热场发射型 | Ga液态金属离子源(LMIS) |
气体注入系统 |
a)最多为5通道的多通道气体注入器 (Pt,C,W,I2,Au,SiOX,XeF2以及要求的其它前驱体) b)带有集成式局部电荷中和系统的最多为4通道的多通道气体注入器. 以及/或者配备原位清洁装置（可使用所有的标准探头） c)只有一个前驱体的单通道气体注入器系统（Pt气体） d)全自动和气动式可伸缩气体注入器系统，可用作局部电荷中和或原位样品清洁装置 （可以使用所有的高真空标准探测器）
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探测器 |
In-lens：高效环形in-lens二次电子探测器 Chamber:ET二次电子探测器
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FIB设备型号：Fei Helios Nanolab 450S
用FIB切割样品，然后用SEM对缺陷进行定位和成像。
使用FIB可以切一样品薄片厚度（30-50nm），取出以后，然后用带有EDS/EELS探测器的TEM/STEM对其成像同时测量其化学性质。
Helios NanoLab 450S是高通量、高分辨率STEM制样、成像和分析的理想选择。
其独有的可翻转样品台和原位STEM探测器可以在几秒钟内从制样模式翻转到样品成像模式，且无需破真空或将样品暴露在环境中。
金鉴实验室FEI FIB-SEM技术参数：
聚焦离子束技术（FIB）注意事项：
（1）样品大小5×5×1cm，当样品过大需切割取样。
（2）样品需导电，不导电样品必须能喷金增加导电性。
（3）切割深度必须小于10微米。
金鉴实验室FIB-SEM技术及应用：
1.FIB透射样品制备流程
对比与传统的电解双喷，离子减薄方式制备TEM样品，FIB可实现快速定点制样，获得高质量TEM样品。
最终减薄TEM样品结果：
2.材料微观截面截取与观察
SEM仅能观察材料表面信息，聚焦离子束的加入可以对材料纵向加工观察材料内部形貌，通过对膜层内部厚度监控以及对缺陷失效分析改善产品工艺，从根部解决产品失效问题。
（1）FIB切割键合线
利用FIB对键合线进行截面制样，不仅可以观察到截面晶格形貌，还可掌控镀层结构与厚度。
（2）FIB切割芯片金道
金鉴实验室FIB-SEM产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。
（3）FIB切割支架镀层
利用FIB切割支架镀层，避免了传统切片模式导致的金属延展、碎屑填充、厚度偏差大的弊端，高分辨率的电镜下，镀层晶格形貌、内部缺陷一览无遗。
FIB-SEM扫描电镜下观察支架镀层截面形貌，镀层界限明显、结构及晶格形貌清晰，尺寸测量准确。此款支架在常规镀镍层上方镀铜，普通制样方法极其容易忽略此层结构，轻则造成判断失误，重则造成责任纠纷，经济损失！
FIB-SEM扫描电镜下观察支架镀层截面形貌。此款支架在镀铜层下方镀有约30纳米的镍层，在FIB-SEM下依然清晰可测！内部结构、基材或镀层的晶格、镀层缺陷清晰明了，给客户和供应商解决争论焦点，减少复测次数与支出。
（4）FIB其他领域定点、图形化切割
3. 诱导沉积材料
利用电子束或离子束将金属有机气体化合物分解，从而可在样品的特定区域进行材料沉积。本系统沉积的材料为Pt，沉积的图形有点阵，直线等，利用系统沉积金属材料的功能，可对器件电路进行相应的修改，更改电路功能。
4.材料的三位相貌表征
