ITO 薄膜在不同厚度条件下的电阻率与应力演变-科磊KLA-仪器信息网3i讲堂

ITO 薄膜在不同厚度条件下的电阻率与应力演变

以ITO薄膜为例，研究结合膜厚、方阻、反射光谱、晶粒尺寸及应力等多种量测手段，系统分析了电阻率随厚度增加而降低的趋势及其空间分布成因。同时，通过 Stoney 方程与形貌分析揭示应力由拉应力向压应力转变的机制，指出晶粒由等轴向柱状演变与沉积条件密切相关。最终提出可通过建立应力图谱优化 ITO 制程与薄膜可靠性。